UCSB携手中村修二研发出无荧光粉的高效白色LED

By | 2020年7月25日

  据报导,美国加州年夜学圣塔芭芭拉分校(University of California, Santa
Barbara,UCSB)钻研团队与诺贝尔奖患上主中村修二学生独特开发了一种制作无荧光粉红色半极化LED的新办法,而且可望作为背光源应用。钻研后果已宣布正在《光学快报》(Optics
Express)期刊上。

  通常状况下,红色LED由蓝色LED与黄色荧光粉连系制成,而由荧光粉转换而来的红色LED往往会呈现能量损耗及热稳固性降落等成绩,但无荧光粉的LED难以完成。不外,UCSB团队提出了一个较为容易的制作办法,可间接正在氮化镓衬底上成长出高效的红色半极化LED。

  据悉,钻研团队正在块状氮化镓衬底上采纳蓝色量子阱(顶部)以及黄色量子阱(底部)成长出无荧光粉的红色InGaN(铟镓氮)LED,这些LED发射波长峰值为427mn的蓝光及560nm的黄光,输入性能为0.9mW。


图片起源: (Li et al., 2020)

  钻研者以为,无荧光粉的高效LED作为背光源的前景可期,无望完成用于可见光通信LiFi中的Micro LED。

  据理解,业内对于无荧光粉LED照明的钻研不断都正在展开中。

  2016年,韩国KAIST也提出了一个制作办法:以半导体芯片庖代荧光粉。顶部为齐心圆容貌的金字塔构造,设计成复合构造体。制作出的3D构造体各个面以没有同前提构成量子阱,各收回没有同的颜色。KAIST示意,经过调整制作3D构造体的工夫以及前提,以扭转各结晶面面积的办法,从而制作出多元混色的LED。

编纂:严志祥

起源:LEDinside编译